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e6500cpu參數(shù)-e6500換成e8600有多少提升主板是華擎p5b

奔騰E6500 CPU是45納米,主頻2.93GHZ,二級(jí)緩存2M,酷睿E8600 CPU是45納米,主頻3.3GHZ,二級(jí)緩存6M。比較一下就可以看出E8600是酷睿,主頻高,二級(jí)緩存大,肯定要比E6500好。把E6500 CPU換成E8600 CPU性能會(huì)有明顯提高的。

e6500cpu參數(shù),e6500換成e8600有多少提升主板是華擎p5b?

奔騰E6500 CPU是45納米,主頻2.93GHZ,二級(jí)緩存2M,酷睿E8600 CPU是45納米,主頻3.3GHZ,二級(jí)緩存6M。比較一下就可以看出E8600是酷睿,主頻高,二級(jí)緩存大,肯定要比E6500好。把E6500 CPU換成E8600 CPU性能會(huì)有明顯提高的。

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e6500cpu配幾代內(nèi)存?

用幾代內(nèi)存由主板決定的,用DDR2 1066 因?yàn)镋6500的前端總線是1066 就沒(méi)必要上DDR3 1333的內(nèi)存 DDR3的內(nèi)存有高延遲 雖然主板上支持DDR3內(nèi)存沒(méi)錯(cuò) 但是 上DDR3的內(nèi)存會(huì)使得CPU性能下降 雖然這種 下降平時(shí)可能沒(méi)覺(jué)得有什么區(qū)別 實(shí)際上DDR3 1333還有降頻 所以內(nèi)存就得用威剛2G DDR2 1066 萬(wàn)紫千紅

e6500cpu上市時(shí)間?

e6500cpu是在2008年11月正式上市的。戴爾Latitude E6500(S833123CN)是戴爾公司于2008年11月發(fā)布的一款商用筆記本電腦。

屏幕尺寸:15.4英寸 1440x900CPU型號(hào):Intel 酷睿2雙核 P8600CPU主頻:2.4GHz內(nèi)存容量:1GB DDRII 800MHz硬盤容量:160GB 5400轉(zhuǎn)顯卡芯片:Intel GMA X4500

e6500和Q9400S有什么區(qū)別?

在Intel 的CPU里面,一貫的細(xì)分為賽揚(yáng)為低端系列,中端系列為奔騰,高端為酷睿,酷睿二到酷睿三。所以:Intel Pentium E6500是Intel中端系列產(chǎn)品,而Intel Core 2 Quad Q9400s 是中高端系列產(chǎn)品。最主要的不同為:Intel Pentium E6500 主頻:2.93GHz 核心類型:Wolfdale 外頻:266MHz 倍頻:11X一級(jí)緩存2×32K二級(jí)緩存2M前端總線頻率1066MHz Intel Core 2 Quad Q9400s 主頻:2.66Ghz 核心類型:Yorkfield 外頻:333MHz 倍頻:8X 一級(jí)緩存L1=2×32K,2×32二級(jí)緩存2×3MB前端總線頻率1333MHz 最大的相同是: 接口類型:LGA 775 , 生產(chǎn)工藝:45納米,都是64位處理器,這意味著,這兩顆CPU可以安裝在同一塊主板上。 下面我列出了Intel Pentium E6500 和 Intel Core 2 Quad Q9400s 兩者的具體參數(shù): Intel Pentium E6500 接口類型:LGA 775核心類型:Wolfdale生產(chǎn)工藝:45納米核心數(shù)量:雙核主頻:2.93GHzTurbo Boost::不支持外頻:266MHz倍頻:11X一級(jí)緩存2×32K二級(jí)緩存2M前端總線頻率1066MHz 功能參數(shù) HyperTransport總線技術(shù):無(wú)HyperTransport總線技術(shù)超線程技術(shù):無(wú)超線程技術(shù)64位處理器:是工作功率:65W Intel Core 2 Quad Q9400s 主要參數(shù) 接口類型:LGA 775核心類型:Yorkfield生產(chǎn)工藝:45納米主頻:2.66Ghz外頻:333MHz倍頻:8X 一級(jí)緩存L1=2×32K,2×32二級(jí)緩存2×3MB前端總線頻率1333MHz 功能參數(shù) 超線程技術(shù):無(wú)超線程技術(shù)64位處理器:是Virtualization(虛擬化):支持Virtualization(虛擬化)技術(shù)工作功率:65W

e6500cpu參數(shù)是幾代?

是2代的。

e6500cpu核心代號(hào):Wolfdale CPU架構(gòu):Core 核心數(shù)量:雙核心 線程數(shù):雙線程 糾錯(cuò) 制作工藝:45納米 熱設(shè)計(jì)功耗(TDP):65W 內(nèi)核電壓:0.85-1.3625V 晶體管數(shù)量:228百萬(wàn) 核心面積:82平方毫米。

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