鑒于日本可能對華限制出口以及光刻膠產能緊張等因素，**投資者當前已表現(xiàn)出爭相投資一些有能力或有潛力生產可替代日本產品的光刻膠公司。

受此影響，國內光刻膠概念股近日迸發(fā)，其中行業(yè)龍頭容大感光股價更是三天“狂飆”50%。對此，多家相關上市公司提示風險，而容大感光則收到了深交所下發(fā)的關注函。

可見即便國際地緣政治趨緊及光刻膠產業(yè)發(fā)展亟待核心技術攻堅，國內投資者仍需在特殊時期保持冷靜和理性，以免受不良市場行為擾動而影響行業(yè)的健康有序發(fā)展，畢竟分析稱**芯片企業(yè)被半導體材料**打擊而導致突然休克的概率非常低。

光刻膠板塊大漲只因傳聞？

由于日本和荷蘭已同意加入美國的行列限制對華出口先進芯片設備和材料，相關風吹草動也較容易被捕捉，乃至影響資本市場行情。

3月8日，市場傳言，某日系光刻膠公司對**某芯片企業(yè)實施斷供。此后，多個光刻膠概念股飄紅，其中容大感光收獲連續(xù)兩個交易日的20%漲停。直到3月10日，在數(shù)家公司發(fā)布提示風險以及深交所對容大感光下發(fā)關注函后，光刻膠板塊才進入行對平穩(wěn)的漲跌狀態(tài)。

對此，美國知名投資研究及評級機構晨星（Morningstar）的分析師菲利克斯·李（Phelix Lee）稱，“通常而言，如果完全切斷一種設備，那么一條生產線就無法完工。所以我對相關企業(yè)能從中受益多少持懷疑態(tài)度?！?/p>

當然，國內光刻膠板塊近日的利好也有其它因素。

一位業(yè)內人士對集微網稱，“盡管現(xiàn)在很多國內客戶找上門買，日本企業(yè)也沒有產能賣，使得貨源確實比較緊張。他們對新客戶不送樣、不報價，只維持部分老客戶的量。”

“日企風格比較保守，不擴產的確不夠用。但歷史上日本因為盲目擴產，很多企業(yè)都經歷過慘痛教訓，一朝被蛇咬十年怕井繩，所以這種恐懼好像刻在DNA里，哪怕訂單再多，也不會輕易擴產。很多日本企業(yè)都屬于是那種尋求小而美的公司?！鄙鲜鲂袠I(yè)人士稱。

另一方面，其中或也有機構及游資嫌疑炒作。正如深交所對容大感光下發(fā)的關注函中提及：說明是否存在違反公平披露原則或者誤導投資者、炒作股價的情形，是否存在借助市場熱點炒作股價、違規(guī)買賣公司股票的情形等。

此外，在全球半導體競逐情況下，目前各國都在競相建立國內半導體生產，并將大量資金注入芯片行業(yè)。而隨著各新興產業(yè)芯片的需求不斷提升，光刻膠作為關鍵“卡脖子”技術之一愈發(fā)受到國家重視，因而不免會受益于資本市場的更多關注及偏好。

如果說光刻膠板塊近日的利好與日本方面可能涉及的斷供有關，那這或多或少也漲了一個“烏龍”。日本貿易大臣已表示，日本尚未就限制芯片制造設備出口做出決定。但據悉，日本**在修訂外匯法以允許改變后，最快將于春季開始限制向**出口先進的半導體制造設備等。

**導致休克概率非常低

鑒于芯片的重要性，相關國家正在地緣政治博弈中越來越多地將其作為“武器”。而在半導體設備和光刻膠等化學品占地重要地位的日本，被認為極可能將同步跟進美國的出口管制政策。

菲利克斯·李表示：“我還沒有看到日本出臺具體政策，但他們很快會公布更多細節(jié)并不令人意外。目前，我預計日本的限制會比荷蘭嚴格，但比美國寬松，其中部分原因是日本離**較近?！?/p>

一位業(yè)內人士則指出，盡管是否斷供光刻膠還沒有最終確定，但是應該會涉及某些型號。國內產業(yè)鏈透露的信息是有50%以上可能性。此外，他補充稱，日本方面之前也曾有斷供過光刻膠，但那是因為產量不足。

在預計可能受限的光刻膠型號上，或將包括KrF、Arf等高端光刻膠。據浙商證券去年11月發(fā)布的一份報告，國內傳統(tǒng)級光刻膠（如G線和I線）的供應比例約為30%。然而，KrF光刻膠的供應比例下降到10%，高級Arf和EUV光刻膠的供應比例下不到2%。

盡管各大國產廠商在高端光刻膠領域逐步實現(xiàn)量產和規(guī)模出貨，但如果光刻膠供應出現(xiàn)不穩(wěn)定狀況，將在一定程度上國內影響相關廠商擴產的進度和升級規(guī)劃。

彭博分析師羅伯特·李（Robert Lea）表示：“如果出口限制針對的是前沿產品，這將進一步阻礙**在先進節(jié)點上制造芯片的雄心?！?/p>

與此同時，有機構認為，日系光刻膠會受到美國出口管制條例（EAR）約束，即對未經合適清單（UVL）和實體清單（EL）名單中的企業(yè)供貨時必須先取得許可證，因而存在申請被否進而斷供的可能性。

但據集微網此前了解，EAR對先進制造的管制屬于一般管制，如果在非美國生產的產品中美國技術含量低于25%則不受此規(guī)則限制。日系光刻膠產品很多采用特殊配方，較為容易實現(xiàn)低于25%美國技術含量的限制門檻，基本不受EAR管制，因此仍然可以正常供應。

中泰電子分析師則指出，目前半導體材料來源與設備相比更多元化，**芯片企業(yè)被半導體材料**打擊而導致突然休克的概率非常低。另據持有類似觀點的行業(yè)分析人士稱，光刻膠可替代的資源較多，影響應該不像設備那么大。

另一方面，國內晶圓廠制程仍以28nm及以上成熟工藝節(jié)點為主，未來擴產也仍將保持這一結構，對光刻膠的需求也集中在中低端產品，這與當前國內光刻膠布局正好能匹配。

結語

雖然在當前形勢下，**芯片企業(yè)被半導體材料**打擊而導致突然休克的概率可能非常低，但其中的相關挑戰(zhàn)和困境不容忽視。

目前，國內企業(yè)在生產光刻膠方面取得系列進展，但高端產品仍主要依賴從日本等國進口，在國產化方面還需在關鍵原材料研發(fā)及規(guī)模量產等關鍵環(huán)節(jié)取得進一步突破。另外，即便一些國內企業(yè)已經實現(xiàn)部分KrF光刻膠的批量量產，但市場份額及行業(yè)話語權較為有限。

未來，**半導體產業(yè)勢必需要攻堅具有更先進工藝和性能的產品，而光刻膠在這一進程中尤為重要。面對當前的供應鏈風險，國內晶圓廠仍然需要一方面抓緊備貨，一方面加速驗證、導入國產光刻膠。而國內光刻膠業(yè)界則應充分利用國產化賦予的更高包容度和試錯契機，砥礪加速高端光刻膠的技術攻堅和產業(yè)升級，進而推動國內前沿半導體生態(tài)的發(fā)展建設。

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值得注意的是，容大感光已連續(xù)兩日漲停。

消息面上，荷蘭**擬提議限制浸沒式DUV光刻機的出口，該提議預計將在夏季之前公布。阿斯麥對此回應，“額外的出口管制并不涉及所有的浸沒式光刻機，而只適用于‘最先進的’系統(tǒng)?！庇捎跊]有收到明確定義，阿斯麥將“最先進的”解讀為“TWINSCANNXT:2000i及后續(xù)的系統(tǒng)。”

除此之外，昨日的消息面的聯(lián)動發(fā)酵。某日本某光刻膠大廠已經執(zhí)行美國“實體清單”的限制要求，對**大陸某存儲晶圓廠斷供了KrF光刻膠。同時，容大感光昨日午間披露機構調研時表示，公司的干膜光刻膠、顯示用光刻膠、半導體光刻膠等產品已經面向市場實現(xiàn)了批量銷售，其中部分產品已進入核心客戶的供應鏈體系。同益股份近期在互動平臺回復稱，公司引進光刻膠基材，部分客戶有少量銷售。金力泰亦在互動平臺提到，子公司超微弧氧化技術可應用于光刻機設備零部件的表面處理。

多重消息影響下，半導體“國產替代”情緒升溫，在容大感光的帶動下，光刻膠概念躁動頻頻。

管制只適用于“最先進的”系統(tǒng)

荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（A**L）9日上午發(fā)布聲明表示，A**L預計必須申請許可證方可出口DUV設備。同時公司還表示“新的出口管制措施并不針對所有浸潤式光刻系統(tǒng)，先進程度相對較低的浸潤式光刻系統(tǒng)已能很好滿足成熟制程為主的客戶的需求。

”荷蘭**在3月8日表示，計劃對半導體技術出口實施新的管制。據悉，決定是由荷蘭貿易部長Liesje Schreinemacher在致荷蘭議會的一封信中宣布的。信中稱，這些管制措施將在今天夏天之前開始實施。

盡管信中并沒有指名道姓地點出A**L和其合作伙伴，但是A**L在最新的聲明中指出，這些新的出口管制措施側重于先進的芯片制造技術，包括最先進的沉積設備和浸潤式光刻系統(tǒng)。

國內廠商光刻膠格局

根據資料顯示，光刻膠產品按照下游應用領域分為半導體光刻膠（IC光刻膠）、PCB光刻膠、LCD光刻膠。其中，半導體光刻膠技術難度最大，其根據曝光波長分為i線光刻膠(365nm)、KrF光刻膠(248nm)、ArF光刻膠(193nm)等，曝光波長越短，適用IC制程工藝越先進。當前，我國半導體光刻膠市場主要由外資企業(yè)壟斷，國產化程度較低。

近年來，在國內全方位、多角度的產業(yè)支持下，國內半導體國產化水平不斷提升，特別是2018年以來美國縮緊對華半導體產業(yè)**，國產替代持續(xù)加速。

目前，在制造端和設備端，國產化率均得到快速提升，自主化產業(yè)鏈初具雛形，近5年來IC設計、晶圓制造、封裝測試、設備材料等各環(huán)節(jié)中均有部分細分賽道的國產化率實現(xiàn)快速提升。

PCB光刻膠主要分為干膜光刻膠、濕膜及阻焊油墨。其中，干膜光刻膠幾乎全進口，濕膜及阻焊油墨國產化率約為50%，國內代表廠商為容大感光、東方材料等。

LCD光刻膠主要分為CF彩色光刻膠、CF黑色光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠。前兩者國產化率均為5%，TFT-LCD正性光刻膠大部分進口。

而最受業(yè)界關注的，當屬半導體光刻膠。半導體光刻膠可分為g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠和EUV光刻膠。

g線光刻膠適用的邏輯制程工藝為0.5微米以上；i線光刻膠適用為0.5微米；KrF光刻膠適用0.25微米-0.11微米；ArF光刻膠適用90納米-7納米，EUV光刻膠適用7納米及以下。

晶圓尺寸方面，g線光刻膠適用6英寸；i線光刻膠適用6英寸、8英寸；KrF光刻膠適用8英寸；ArF光刻膠、EUV光刻膠適用12英寸。

半導體光刻膠國產化方面，g線光刻膠、i線光刻膠國產化率為10%。g線光刻膠、i線光刻膠代表廠商有容大感光、蘇州瑞紅（晶瑞新材子公司）、北京科華和徐州博康。

KrF光刻膠、ArF光刻膠國產化率僅為1%，國內代表廠商為上海新陽（SZ300236，股價34.60元，市值108.43億元）、南大光電、蘇州瑞紅、北京科華和徐州博康。

浙商證券蔣高振在近期研報中指出，根據SEMI數(shù)據顯示，2021年全球半導體光刻膠市場中，**大陸市場保持最快增速，同比增長43.69%。受益于半導體行業(yè)技術進步帶來的KrF膠和ArF膠單價值量和總需求快速提升，預測國內半導體光刻膠市場有望以高于全球的增速持續(xù)增長。

不過也需要注意到，國內半導體產業(yè)在關鍵芯片及設備領域的國產化率仍處于較低水平，高端國產替代還任重道遠。此外，受終端消費不景氣影響，目前半導體行業(yè)的寒意未散，國外巨頭對一季度前景普遍偏悲觀。

因此，中長期角度來看，半導體國產替代是大勢所趨，行業(yè)前景廣闊。但短期仍不建議太過樂觀，切忌盲目追高。

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