據(jù)設(shè)備和生產(chǎn)鏈業(yè)者消息，臺(tái)積電已經(jīng)決定在德國(guó)半導(dǎo)體重鎮(zhèn)德累斯頓設(shè)廠。根據(jù)****《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃在2025年開(kāi)始生產(chǎn)，并預(yù)計(jì)未來(lái)五年海外產(chǎn)能將占據(jù)20%以上的28納米及更先進(jìn)制程。

德累斯頓已經(jīng)擁有完整的半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈和供應(yīng)生態(tài)系統(tǒng)，臺(tái)積電在此建廠還能獲得歐盟補(bǔ)助，并更加接近客戶(hù)。該地區(qū)是歐洲最大的半導(dǎo)體中心之一，許多企業(yè)都在當(dāng)?shù)卦O(shè)立晶圓廠，并有全方位支持。

由于全球地緣政治風(fēng)險(xiǎn)的影響，臺(tái)積電近年來(lái)一直在進(jìn)行全球投資布局，并已確定在美國(guó)和日本進(jìn)行投資。此外，新加坡、阿聯(lián)酋和印度等地也在競(jìng)爭(zhēng)引進(jìn)相關(guān)晶圓代工廠投資，但尚未敲定具體投資計(jì)劃。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，他們將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，已實(shí)現(xiàn)3納米技術(shù)量產(chǎn)，并在為2025年開(kāi)始量產(chǎn)的2納米技術(shù)做準(zhǔn)備。

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最新的報(bào)道就顯示，新加坡正在積極嘗試通過(guò)大量的激勵(lì)和補(bǔ)貼，說(shuō)服臺(tái)積電投資建設(shè)12英寸的晶圓廠。

新加坡此前也有激勵(lì)措施，以吸引臺(tái)積電等芯片廠商到當(dāng)?shù)亟◤S。而業(yè)內(nèi)人士透露，新加坡方面此次提供的補(bǔ)貼，包括免費(fèi)的土地、水和電力，也包括稅收優(yōu)惠及充足的人力資源，有可能說(shuō)服臺(tái)積電興建一座12英寸的晶圓廠。

臺(tái)積電目前在新加坡有一座合資的8英寸晶圓廠，在1998年建設(shè)，最初是由臺(tái)積電、恩智浦半導(dǎo)體旗下的一家公司和新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局三方投資建設(shè)，但在2006年，臺(tái)積電和恩智浦收購(gòu)了新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局的股份，進(jìn)而成為了臺(tái)積電與恩智浦的合資公司。

值得注意的是，在去年5月份，有外媒在報(bào)道中提到，已投產(chǎn)的晶圓廠主要集中在亞洲的臺(tái)積電，有意在亞洲再建一座新的晶圓廠，當(dāng)時(shí)就提到他們?cè)谕录悠陆?jīng)濟(jì)發(fā)展局就建廠一事進(jìn)行初步的談判。

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從臺(tái)積電在官網(wǎng)公布的消息來(lái)看，他們?cè)?月份營(yíng)收1631.74億新臺(tái)幣，不及上一個(gè)月的2000.51億，環(huán)比下滑18.4%；但高于去年同期的1469.33億，同比增長(zhǎng)11.1%。

不過(guò)，從臺(tái)積電方面公布的數(shù)據(jù)來(lái)看，他們?cè)露葼I(yíng)收的環(huán)比下滑幅度，在2月份有擴(kuò)大，同比增長(zhǎng)率則是在縮小。在今年1月份，臺(tái)積電2000.51億新臺(tái)幣的營(yíng)收，是環(huán)比下滑3.9%，同比增長(zhǎng)16.2%。

1月份和2月份的營(yíng)收同比均保持增長(zhǎng)，也就意味著臺(tái)積電今年前兩個(gè)月的營(yíng)收，同比也保持增長(zhǎng)，他們?cè)谶@兩個(gè)月共營(yíng)收3632.25億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)13.8%。

折算成美元，臺(tái)積電在今年1月份和2月份分別營(yíng)收64.82億美元、52.86億美元，兩個(gè)月共營(yíng)收117.68億美元。

在1月12日發(fā)布的財(cái)報(bào)中，臺(tái)積電管理層是預(yù)計(jì)一季度營(yíng)收167-175億美元，前兩個(gè)月已有117.68億美元，也就意味著他們?cè)?月份的營(yíng)收，只要達(dá)到49.32億美元，就將達(dá)到他們的預(yù)期。

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關(guān)鍵的決戰(zhàn)是Intel的20A及18A工藝，等效友商的2nm、1.8nm工藝，也是首款進(jìn)入埃米級(jí)的工藝，預(yù)計(jì)在2024年上半年及下半年量產(chǎn)，是Intel 2025年重奪半導(dǎo)體王者的關(guān)鍵工藝。

其中尤以1.8nm工藝為甚，因?yàn)檫@代工藝不僅會(huì)有Intel自己使用，還會(huì)對(duì)外代工，是Intel搶臺(tái)積電客戶(hù)的殺手锏，因?yàn)?024年量產(chǎn)的時(shí)候臺(tái)積電的2nm工藝都沒(méi)有準(zhǔn)備好，進(jìn)度及技術(shù)指標(biāo)上都要被Intel超越。

對(duì)于1.8nm工藝，Intel最近透露稱(chēng)去年已經(jīng)有客戶(hù)測(cè)試芯片了，甚至做到了IP階段，這都是極為重要的進(jìn)展。

唯一的問(wèn)題就是Intel的1.8nm工藝客戶(hù)都有誰(shuí)，Intel之前多次暗示要公布名單，日前CFO David Zinsner在一次會(huì)議上再次表示，今年就會(huì)公布首個(gè)1.8nm工藝第三方客戶(hù)的詳情。

這個(gè)客戶(hù)是誰(shuí)我們還不知道，不過(guò)不太可能是大型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，可能是特種行業(yè)的，比如軍用芯片，后者的顯著優(yōu)勢(shì)是對(duì)成本不太敏感，畢竟Intel的1.8nm工藝成本不菲。

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隨著量產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng)，臺(tái)積電這一先進(jìn)制程工藝的產(chǎn)能，也在不斷提升。最新的消息就顯示，臺(tái)積電3nm制程工藝的月產(chǎn)出，在本月將達(dá)到50000-55000片晶圓。

月產(chǎn)量增加，臺(tái)積電這一制程工藝的產(chǎn)能利用率，也在不斷提升，在本月預(yù)計(jì)將接近50%。

從相關(guān)媒體的報(bào)道來(lái)看，當(dāng)前臺(tái)積電3nm制程工藝的客戶(hù)，主要是蘋(píng)果，用于iPhone 15 Pro系列的A17仿生芯片將采用3nm制程工藝，13英寸和15英寸MacBook Air及13英寸MacBook Pro將搭載的M3芯片，預(yù)計(jì)也將采用這一制程工藝。

報(bào)道還顯示，在蘋(píng)果3nm制程工藝大單的推動(dòng)下，臺(tái)積電有能力將整體的產(chǎn)能利用率，保持在70%甚至更高的水平。

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今年 1 月，臺(tái)積電 2023 年 1 月?tīng)I(yíng)收約 2000.5 億新臺(tái)幣（當(dāng)前約 450.11 億元**幣），環(huán)比增長(zhǎng) 3.9%，同比增長(zhǎng) 16.2%。

臺(tái)積電總裁魏哲家曾表示，受個(gè)人電腦與智能手機(jī)市場(chǎng)低迷，以及客戶(hù)調(diào)節(jié)庫(kù)存影響，臺(tái)積電 7 納米及 6 納米產(chǎn)能利用率不再處于過(guò)去 3 年的高點(diǎn)，估計(jì)需要數(shù)季度時(shí)間調(diào)整，預(yù)期今年下半年需求有望回溫。

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盡管全球芯片行業(yè)并不景氣，但該行業(yè)的招聘仍在繼續(xù)。

臺(tái)積電表示，該公司將在**各城市中招聘在電氣工程專(zhuān)業(yè)或軟件相關(guān)領(lǐng)域中具有大專(zhuān)、學(xué)士、碩士或博士學(xué)位的年輕工程師。

該公司還說(shuō)，擁有碩士學(xué)位的新工程師將獲得200萬(wàn)新臺(tái)幣(合65578.07美元)的平均年薪。

由于部分芯片短缺導(dǎo)致產(chǎn)品庫(kù)存量大，市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的需求下降，由此導(dǎo)致全球半導(dǎo)體行業(yè)低迷。

2022年底至今，全球多家芯片公司都已放慢投資。

例如，英特爾公司最近宣布，公司高管和中層員工的薪酬削減將從5%調(diào)至25%。

臺(tái)積電為蘋(píng)果公司等高端客戶(hù)生產(chǎn)一些最先進(jìn)的芯片，該公司在這一領(lǐng)域的市場(chǎng)主導(dǎo)地位使其免于遭受行業(yè)低迷的影響。

即便如此，臺(tái)積電也略微減少了2023年年度資本支出預(yù)算，并預(yù)計(jì)第一季度收入將有所下降。但該公司表示，預(yù)計(jì)今年下半年市場(chǎng)需求將會(huì)回升。

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北京時(shí)間3月6日早間消息，據(jù)報(bào)道，全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電日前發(fā)布聲明稱(chēng)，該公司將在2023年招聘6000多名新員工。

盡管全球芯片行業(yè)并不景氣，但該行業(yè)的招聘仍在繼續(xù)。

臺(tái)積電表示，該公司將在**各城市中招聘在電氣工程專(zhuān)業(yè)或軟件相關(guān)領(lǐng)域中具有大專(zhuān)、學(xué)士、碩士或博士學(xué)位的年輕工程師。

該公司還說(shuō)，擁有碩士學(xué)位的新工程師將獲得200萬(wàn)新臺(tái)幣(合65578.07美元)的平均年薪。

由于部分芯片短缺導(dǎo)致產(chǎn)品庫(kù)存量大，市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的需求下降，由此導(dǎo)致全球半導(dǎo)體行業(yè)低迷。

2022年底至今，全球多家芯片公司都已放慢投資。

例如，英特爾公司最近宣布，公司高管和中層員工的薪酬削減將從5%調(diào)至25%。

臺(tái)積電為蘋(píng)果公司等高端客戶(hù)生產(chǎn)一些最先進(jìn)的芯片，該公司在這一領(lǐng)域的市場(chǎng)主導(dǎo)地位使其免于遭受行業(yè)低迷的影響。

即便如此，臺(tái)積電也略微減少了2023年年度資本支出預(yù)算，并預(yù)計(jì)第一季度收入將有所下降。但該公司表示，預(yù)計(jì)今年下半年市場(chǎng)需求將會(huì)回升。

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北京時(shí)間3月6日早間消息，據(jù)報(bào)道，全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電日前發(fā)布聲明稱(chēng)，該公司將在2023年招聘6000多名新員工。

盡管全球芯片行業(yè)并不景氣，但該行業(yè)的招聘仍在繼續(xù)。

臺(tái)積電表示，該公司將在**各城市中招聘在電氣工程專(zhuān)業(yè)或軟件相關(guān)領(lǐng)域中具有大專(zhuān)、學(xué)士、碩士或博士學(xué)位的年輕工程師。

該公司還說(shuō)，擁有碩士學(xué)位的新工程師將獲得200萬(wàn)新臺(tái)幣(合65578.07美元)的平均年薪。

由于部分芯片短缺導(dǎo)致產(chǎn)品庫(kù)存量大，市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的需求下降，由此導(dǎo)致全球半導(dǎo)體行業(yè)低迷。

2022年底至今，全球多家芯片公司都已放慢投資。

例如，英特爾公司最近宣布，公司高管和中層員工的薪酬削減將從5%調(diào)至25%。

臺(tái)積電為蘋(píng)果公司等高端客戶(hù)生產(chǎn)一些最先進(jìn)的芯片，該公司在這一領(lǐng)域的市場(chǎng)主導(dǎo)地位使其免于遭受行業(yè)低迷的影響。

即便如此，臺(tái)積電也略微減少了2023年年度資本支出預(yù)算，并預(yù)計(jì)第一季度收入將有所下降。但該公司表示，預(yù)計(jì)今年下半年市場(chǎng)需求將會(huì)回升。

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北京時(shí)間3月6日早間消息，據(jù)報(bào)道，全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電日前發(fā)布聲明稱(chēng)，該公司將在2023年招聘6000多名新員工。

盡管全球芯片行業(yè)并不景氣，但該行業(yè)的招聘仍在繼續(xù)。

臺(tái)積電表示，該公司將在**各城市中招聘在電氣工程專(zhuān)業(yè)或軟件相關(guān)領(lǐng)域中具有大專(zhuān)、學(xué)士、碩士或博士學(xué)位的年輕工程師。

該公司還說(shuō)，擁有碩士學(xué)位的新工程師將獲得200萬(wàn)新臺(tái)幣(合65578.07美元)的平均年薪。

由于部分芯片短缺導(dǎo)致產(chǎn)品庫(kù)存量大，市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的需求下降，由此導(dǎo)致全球半導(dǎo)體行業(yè)低迷。

2022年底至今，全球多家芯片公司都已放慢投資。

例如，英特爾公司最近宣布，公司高管和中層員工的薪酬削減將從5%調(diào)至25%。

臺(tái)積電為蘋(píng)果公司等高端客戶(hù)生產(chǎn)一些最先進(jìn)的芯片，該公司在這一領(lǐng)域的市場(chǎng)主導(dǎo)地位使其免于遭受行業(yè)低迷的影響。

即便如此，臺(tái)積電也略微減少了2023年年度資本支出預(yù)算，并預(yù)計(jì)第一季度收入將有所下降。但該公司表示，預(yù)計(jì)今年下半年市場(chǎng)需求將會(huì)回升。

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Gurman稱(chēng)，蘋(píng)果新款iMac將采用與當(dāng)前型號(hào)相同的24英寸顯示屏尺寸和顏色選項(xiàng)，內(nèi)部設(shè)計(jì)將變更，采用全新的支架制造工藝。

處理器有望搭載即將推出的M3芯片，臺(tái)積電3nm制程工藝，以提高性能和能效。

據(jù)悉，蘋(píng)果M3使用的臺(tái)積電3nm工藝是當(dāng)前最先進(jìn)的芯片制程工藝。與5nm（N5）工藝相比，相同速度下臺(tái)積電3nm的邏輯密度增益增加60%，功耗降低30-35%，并支持創(chuàng)新的臺(tái)積電FINFLEX架構(gòu)。

雖然新款iMac的研發(fā)已進(jìn)入后期階段，但預(yù)計(jì)至少在三個(gè)月內(nèi)不會(huì)大規(guī)模投產(chǎn)，最早要到今年下半年才能出貨。

蘋(píng)果上次更新iMac是在2021年4月，該機(jī)配備M1芯片和超薄外殼，有七種顏色可供選擇，包括綠色、**、橙色、粉色、紫色、藍(lán)色和銀色，是目前蘋(píng)果產(chǎn)品線(xiàn)唯一的iMac。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/digi/2023-03-06/2921675.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

3月6日消息，知名蘋(píng)果爆料人Mark Gurman表示，蘋(píng)果新款iMac已經(jīng)進(jìn)入工程驗(yàn)證測(cè)試。

Gurman稱(chēng)，蘋(píng)果新款iMac將采用與當(dāng)前型號(hào)相同的24英寸顯示屏尺寸和顏色選項(xiàng)，內(nèi)部設(shè)計(jì)將變更，采用全新的支架制造工藝。

處理器有望搭載即將推出的M3芯片，臺(tái)積電3nm制程工藝，以提高性能和能效。

據(jù)悉，蘋(píng)果M3使用的臺(tái)積電3nm工藝是當(dāng)前最先進(jìn)的芯片制程工藝。與5nm（N5）工藝相比，相同速度下臺(tái)積電3nm的邏輯密度增益增加60%，功耗降低30-35%，并支持創(chuàng)新的臺(tái)積電FINFLEX架構(gòu)。

雖然新款iMac的研發(fā)已進(jìn)入后期階段，但預(yù)計(jì)至少在三個(gè)月內(nèi)不會(huì)大規(guī)模投產(chǎn)，最早要到今年下半年才能出貨。

蘋(píng)果上次更新iMac是在2021年4月，該機(jī)配備M1芯片和超薄外殼，有七種顏色可供選擇，包括綠色、**、橙色、粉色、紫色、藍(lán)色和銀色，是目前蘋(píng)果產(chǎn)品線(xiàn)唯一的iMac。

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3月6日消息，知名蘋(píng)果爆料人Mark Gurman表示，蘋(píng)果新款iMac已經(jīng)進(jìn)入工程驗(yàn)證測(cè)試。

Gurman稱(chēng)，蘋(píng)果新款iMac將采用與當(dāng)前型號(hào)相同的24英寸顯示屏尺寸和顏色選項(xiàng)，內(nèi)部設(shè)計(jì)將變更，采用全新的支架制造工藝。

處理器有望搭載即將推出的M3芯片，臺(tái)積電3nm制程工藝，以提高性能和能效。

據(jù)悉，蘋(píng)果M3使用的臺(tái)積電3nm工藝是當(dāng)前最先進(jìn)的芯片制程工藝。與5nm（N5）工藝相比，相同速度下臺(tái)積電3nm的邏輯密度增益增加60%，功耗降低30-35%，并支持創(chuàng)新的臺(tái)積電FINFLEX架構(gòu)。

雖然新款iMac的研發(fā)已進(jìn)入后期階段，但預(yù)計(jì)至少在三個(gè)月內(nèi)不會(huì)大規(guī)模投產(chǎn)，最早要到今年下半年才能出貨。

蘋(píng)果上次更新iMac是在2021年4月，該機(jī)配備M1芯片和超薄外殼，有七種顏色可供選擇，包括綠色、**、橙色、粉色、紫色、藍(lán)色和銀色，是目前蘋(píng)果產(chǎn)品線(xiàn)唯一的iMac。

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Gurman稱(chēng)，蘋(píng)果新款iMac將采用與當(dāng)前型號(hào)相同的24英寸顯示屏尺寸和顏色選項(xiàng)，內(nèi)部設(shè)計(jì)將變更，采用全新的支架制造工藝。

處理器有望搭載即將推出的M3芯片，臺(tái)積電3nm制程工藝，以提高性能和能效。

據(jù)悉，蘋(píng)果M3使用的臺(tái)積電3nm工藝是當(dāng)前最先進(jìn)的芯片制程工藝。與5nm（N5）工藝相比，相同速度下臺(tái)積電3nm的邏輯密度增益增加60%，功耗降低30-35%，并支持創(chuàng)新的臺(tái)積電FINFLEX架構(gòu)。

雖然新款iMac的研發(fā)已進(jìn)入后期階段，但預(yù)計(jì)至少在三個(gè)月內(nèi)不會(huì)大規(guī)模投產(chǎn)，最早要到今年下半年才能出貨。

蘋(píng)果上次更新iMac是在2021年4月，該機(jī)配備M1芯片和超薄外殼，有七種顏色可供選擇，包括綠色、**、橙色、粉色、紫色、藍(lán)色和銀色，是目前蘋(píng)果產(chǎn)品線(xiàn)唯一的iMac。

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AMD在最近的一次技術(shù)會(huì)議上向外媒分享了一些細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，這顆Chiplet芯片仍采用7nm工藝，但峰值帶寬提高到了2.5TB/s，而初代3D V-Cache峰值帶寬為2TB/s。

此外，我們還拿到了AMD Ryzen 7000處理器的新型6nm I/O芯片的新圖片和參數(shù)。

總的來(lái)說(shuō)，AMD第二代3D V-Cache技術(shù)比第一代技術(shù)再次向前邁出了一大步。

第一，AMD的3D V-Cache技術(shù)將一顆額外的L3 SRAM芯片直接堆疊在計(jì)算芯片 (CCD) 芯片的中心，從而將其與溫度較高的核心隔離開(kāi)來(lái)。這顆芯片為它帶來(lái)了96MB 3D緩存，從而提高了對(duì)延遲敏感類(lèi)應(yīng)用程序的性能表現(xiàn)，比如游戲。

AMD在2023年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示了一些關(guān)于第二代3D V-Cache實(shí)現(xiàn)的新技術(shù)，并就Zen 4架構(gòu)進(jìn)行了演示。

AMD上一代3D V-Cache將L3 SRAM芯片堆疊在7nm Zen 3 CCD上，而新一代的L3 SRAM芯片依然堅(jiān)持采用了7nm工藝，但它需要堆疊在更小的5nm Zen 4 CCD上。這就造成了尺寸不匹配，因此需要進(jìn)行一些修改，最終大幅提高了其晶體管密度。

這顆L3 SRAM芯片通過(guò)兩種類(lèi)型的TSV硅通孔連接到基礎(chǔ)模芯片部分。其中Power TSV負(fù)責(zé)傳輸能量，Signal TSV負(fù)責(zé)傳輸數(shù)據(jù)。與之前一樣，這顆額外的L3 SRAM緩存帶來(lái)了4 個(gè) clock的時(shí)鐘信號(hào)延滯，但L3芯片和基本芯片之間的帶寬增加到2.5 TB/s，比之前的2 TB /s提高了25%。

在第一代L3 SRAM芯片設(shè)計(jì)中，兩種類(lèi)型的TSV都位于基礎(chǔ)芯片的L3區(qū)域，然而隨著5nm工藝的改進(jìn)，基礎(chǔ)芯片上的L3緩存部分的面積現(xiàn)在有所減少。因此，即使7nm的L3 SRAM芯片面積更小，它現(xiàn)在也與L2緩存 (前一代只重疊了L3緩存部分) 發(fā)生重疊，所以 AMD 不得不改變基本芯片和L3 SRAM芯片中的TSV連接設(shè)計(jì)。

隨著基礎(chǔ)芯片上5nm L3高速緩存部分晶體管密度增加，AMD不得不將Power TSV從 L3擴(kuò)展到L2區(qū)域。

對(duì)于基礎(chǔ)芯片，AMD在L3緩存、數(shù)據(jù)路徑和控制邏輯上實(shí)現(xiàn)了0.68倍的有效面積縮放（與舊的7nm芯片相比），因此L3緩存中TSV物理空間更小。

Signal TSV依然保留在基礎(chǔ)芯片上的L3緩存區(qū)域內(nèi)，但AMD通過(guò)應(yīng)用從第一代設(shè)計(jì)中學(xué)到的知識(shí)以及DTCO改進(jìn)，將L3緩存中的TSV區(qū)域縮小了50%，以減少新接口設(shè)計(jì)中的額外電路。

IT之家提醒，AMD的3D芯片堆疊技術(shù)基于 臺(tái)積電的SoIC技術(shù)，而臺(tái)積電的SoIC是無(wú)凸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，這意味著兩個(gè)芯片之間的連接不會(huì)使用微凸塊或焊料。AMD表示，它使用了相同的基本鍵合/粘合工藝，并進(jìn)行了持續(xù)的工藝和DTCO改進(jìn)，但最小TSV間距并未改變。

此外，L3 SRAM小芯片也與CPU內(nèi)核保持在同一功率區(qū)域，因此無(wú)法**調(diào)整。也正因?yàn)殡妷翰荒艹^(guò)~1.15V，所以配備緩存的小芯片的頻率也不會(huì)太高。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/it/2023-03-05/2921588.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

3月5日消息，得益于**性的3D芯片堆疊技術(shù)，AMD Ryzen 9 7950X3D已成為目前最強(qiáng)的游戲處理器之一，但奇怪的是，該公司在發(fā)布Ryzen 7000X3D時(shí)沒(méi)有提到任何關(guān)于其新的第二代3D V-Cache細(xì)節(jié)。

AMD在最近的一次技術(shù)會(huì)議上向外媒分享了一些細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，這顆Chiplet芯片仍采用7nm工藝，但峰值帶寬提高到了2.5TB/s，而初代3D V-Cache峰值帶寬為2TB/s。

此外，我們還拿到了AMD Ryzen 7000處理器的新型6nm I/O芯片的新圖片和參數(shù)。

總的來(lái)說(shuō)，AMD第二代3D V-Cache技術(shù)比第一代技術(shù)再次向前邁出了一大步。

第一，AMD的3D V-Cache技術(shù)將一顆額外的L3 SRAM芯片直接堆疊在計(jì)算芯片 (CCD) 芯片的中心，從而將其與溫度較高的核心隔離開(kāi)來(lái)。這顆芯片為它帶來(lái)了96MB 3D緩存，從而提高了對(duì)延遲敏感類(lèi)應(yīng)用程序的性能表現(xiàn)，比如游戲。

AMD在2023年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示了一些關(guān)于第二代3D V-Cache實(shí)現(xiàn)的新技術(shù)，并就Zen 4架構(gòu)進(jìn)行了演示。

AMD上一代3D V-Cache將L3 SRAM芯片堆疊在7nm Zen 3 CCD上，而新一代的L3 SRAM芯片依然堅(jiān)持采用了7nm工藝，但它需要堆疊在更小的5nm Zen 4 CCD上。這就造成了尺寸不匹配，因此需要進(jìn)行一些修改，最終大幅提高了其晶體管密度。

這顆L3 SRAM芯片通過(guò)兩種類(lèi)型的TSV硅通孔連接到基礎(chǔ)模芯片部分。其中Power TSV負(fù)責(zé)傳輸能量，Signal TSV負(fù)責(zé)傳輸數(shù)據(jù)。與之前一樣，這顆額外的L3 SRAM緩存帶來(lái)了4 個(gè) clock的時(shí)鐘信號(hào)延滯，但L3芯片和基本芯片之間的帶寬增加到2.5 TB/s，比之前的2 TB /s提高了25%。

在第一代L3 SRAM芯片設(shè)計(jì)中，兩種類(lèi)型的TSV都位于基礎(chǔ)芯片的L3區(qū)域，然而隨著5nm工藝的改進(jìn)，基礎(chǔ)芯片上的L3緩存部分的面積現(xiàn)在有所減少。因此，即使7nm的L3 SRAM芯片面積更小，它現(xiàn)在也與L2緩存 (前一代只重疊了L3緩存部分) 發(fā)生重疊，所以 AMD 不得不改變基本芯片和L3 SRAM芯片中的TSV連接設(shè)計(jì)。

隨著基礎(chǔ)芯片上5nm L3高速緩存部分晶體管密度增加，AMD不得不將Power TSV從 L3擴(kuò)展到L2區(qū)域。

對(duì)于基礎(chǔ)芯片，AMD在L3緩存、數(shù)據(jù)路徑和控制邏輯上實(shí)現(xiàn)了0.68倍的有效面積縮放（與舊的7nm芯片相比），因此L3緩存中TSV物理空間更小。

Signal TSV依然保留在基礎(chǔ)芯片上的L3緩存區(qū)域內(nèi)，但AMD通過(guò)應(yīng)用從第一代設(shè)計(jì)中學(xué)到的知識(shí)以及DTCO改進(jìn)，將L3緩存中的TSV區(qū)域縮小了50%，以減少新接口設(shè)計(jì)中的額外電路。

IT之家提醒，AMD的3D芯片堆疊技術(shù)基于 臺(tái)積電的SoIC技術(shù)，而臺(tái)積電的SoIC是無(wú)凸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，這意味著兩個(gè)芯片之間的連接不會(huì)使用微凸塊或焊料。AMD表示，它使用了相同的基本鍵合/粘合工藝，并進(jìn)行了持續(xù)的工藝和DTCO改進(jìn)，但最小TSV間距并未改變。

此外，L3 SRAM小芯片也與CPU內(nèi)核保持在同一功率區(qū)域，因此無(wú)法**調(diào)整。也正因?yàn)殡妷翰荒艹^(guò)~1.15V，所以配備緩存的小芯片的頻率也不會(huì)太高。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/it/2023-03-05/2921588.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

3月5日消息，得益于**性的3D芯片堆疊技術(shù)，AMD Ryzen 9 7950X3D已成為目前最強(qiáng)的游戲處理器之一，但奇怪的是，該公司在發(fā)布Ryzen 7000X3D時(shí)沒(méi)有提到任何關(guān)于其新的第二代3D V-Cache細(xì)節(jié)。

AMD在最近的一次技術(shù)會(huì)議上向外媒分享了一些細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，這顆Chiplet芯片仍采用7nm工藝，但峰值帶寬提高到了2.5TB/s，而初代3D V-Cache峰值帶寬為2TB/s。

此外，我們還拿到了AMD Ryzen 7000處理器的新型6nm I/O芯片的新圖片和參數(shù)。

總的來(lái)說(shuō)，AMD第二代3D V-Cache技術(shù)比第一代技術(shù)再次向前邁出了一大步。

第一，AMD的3D V-Cache技術(shù)將一顆額外的L3 SRAM芯片直接堆疊在計(jì)算芯片 (CCD) 芯片的中心，從而將其與溫度較高的核心隔離開(kāi)來(lái)。這顆芯片為它帶來(lái)了96MB 3D緩存，從而提高了對(duì)延遲敏感類(lèi)應(yīng)用程序的性能表現(xiàn)，比如游戲。

AMD在2023年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示了一些關(guān)于第二代3D V-Cache實(shí)現(xiàn)的新技術(shù)，并就Zen 4架構(gòu)進(jìn)行了演示。

AMD上一代3D V-Cache將L3 SRAM芯片堆疊在7nm Zen 3 CCD上，而新一代的L3 SRAM芯片依然堅(jiān)持采用了7nm工藝，但它需要堆疊在更小的5nm Zen 4 CCD上。這就造成了尺寸不匹配，因此需要進(jìn)行一些修改，最終大幅提高了其晶體管密度。

這顆L3 SRAM芯片通過(guò)兩種類(lèi)型的TSV硅通孔連接到基礎(chǔ)模芯片部分。其中Power TSV負(fù)責(zé)傳輸能量，Signal TSV負(fù)責(zé)傳輸數(shù)據(jù)。與之前一樣，這顆額外的L3 SRAM緩存帶來(lái)了4 個(gè) clock的時(shí)鐘信號(hào)延滯，但L3芯片和基本芯片之間的帶寬增加到2.5 TB/s，比之前的2 TB /s提高了25%。

在第一代L3 SRAM芯片設(shè)計(jì)中，兩種類(lèi)型的TSV都位于基礎(chǔ)芯片的L3區(qū)域，然而隨著5nm工藝的改進(jìn)，基礎(chǔ)芯片上的L3緩存部分的面積現(xiàn)在有所減少。因此，即使7nm的L3 SRAM芯片面積更小，它現(xiàn)在也與L2緩存 (前一代只重疊了L3緩存部分) 發(fā)生重疊，所以 AMD 不得不改變基本芯片和L3 SRAM芯片中的TSV連接設(shè)計(jì)。

隨著基礎(chǔ)芯片上5nm L3高速緩存部分晶體管密度增加，AMD不得不將Power TSV從 L3擴(kuò)展到L2區(qū)域。

對(duì)于基礎(chǔ)芯片，AMD在L3緩存、數(shù)據(jù)路徑和控制邏輯上實(shí)現(xiàn)了0.68倍的有效面積縮放（與舊的7nm芯片相比），因此L3緩存中TSV物理空間更小。

Signal TSV依然保留在基礎(chǔ)芯片上的L3緩存區(qū)域內(nèi)，但AMD通過(guò)應(yīng)用從第一代設(shè)計(jì)中學(xué)到的知識(shí)以及DTCO改進(jìn)，將L3緩存中的TSV區(qū)域縮小了50%，以減少新接口設(shè)計(jì)中的額外電路。

IT之家提醒，AMD的3D芯片堆疊技術(shù)基于 臺(tái)積電的SoIC技術(shù)，而臺(tái)積電的SoIC是無(wú)凸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，這意味著兩個(gè)芯片之間的連接不會(huì)使用微凸塊或焊料。AMD表示，它使用了相同的基本鍵合/粘合工藝，并進(jìn)行了持續(xù)的工藝和DTCO改進(jìn)，但最小TSV間距并未改變。

此外，L3 SRAM小芯片也與CPU內(nèi)核保持在同一功率區(qū)域，因此無(wú)法**調(diào)整。也正因?yàn)殡妷翰荒艹^(guò)~1.15V，所以配備緩存的小芯片的頻率也不會(huì)太高。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/it/2023-03-05/2921588.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

3月5日消息，得益于**性的3D芯片堆疊技術(shù)，AMD Ryzen 9 7950X3D已成為目前最強(qiáng)的游戲處理器之一，但奇怪的是，該公司在發(fā)布Ryzen 7000X3D時(shí)沒(méi)有提到任何關(guān)于其新的第二代3D V-Cache細(xì)節(jié)。

AMD在最近的一次技術(shù)會(huì)議上向外媒分享了一些細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，這顆Chiplet芯片仍采用7nm工藝，但峰值帶寬提高到了2.5TB/s，而初代3D V-Cache峰值帶寬為2TB/s。

此外，我們還拿到了AMD Ryzen 7000處理器的新型6nm I/O芯片的新圖片和參數(shù)。

總的來(lái)說(shuō)，AMD第二代3D V-Cache技術(shù)比第一代技術(shù)再次向前邁出了一大步。

第一，AMD的3D V-Cache技術(shù)將一顆額外的L3 SRAM芯片直接堆疊在計(jì)算芯片 (CCD) 芯片的中心，從而將其與溫度較高的核心隔離開(kāi)來(lái)。這顆芯片為它帶來(lái)了96MB 3D緩存，從而提高了對(duì)延遲敏感類(lèi)應(yīng)用程序的性能表現(xiàn)，比如游戲。

AMD在2023年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示了一些關(guān)于第二代3D V-Cache實(shí)現(xiàn)的新技術(shù)，并就Zen 4架構(gòu)進(jìn)行了演示。

AMD上一代3D V-Cache將L3 SRAM芯片堆疊在7nm Zen 3 CCD上，而新一代的L3 SRAM芯片依然堅(jiān)持采用了7nm工藝，但它需要堆疊在更小的5nm Zen 4 CCD上。這就造成了尺寸不匹配，因此需要進(jìn)行一些修改，最終大幅提高了其晶體管密度。

這顆L3 SRAM芯片通過(guò)兩種類(lèi)型的TSV硅通孔連接到基礎(chǔ)模芯片部分。其中Power TSV負(fù)責(zé)傳輸能量，Signal TSV負(fù)責(zé)傳輸數(shù)據(jù)。與之前一樣，這顆額外的L3 SRAM緩存帶來(lái)了4 個(gè) clock的時(shí)鐘信號(hào)延滯，但L3芯片和基本芯片之間的帶寬增加到2.5 TB/s，比之前的2 TB /s提高了25%。

在第一代L3 SRAM芯片設(shè)計(jì)中，兩種類(lèi)型的TSV都位于基礎(chǔ)芯片的L3區(qū)域，然而隨著5nm工藝的改進(jìn)，基礎(chǔ)芯片上的L3緩存部分的面積現(xiàn)在有所減少。因此，即使7nm的L3 SRAM芯片面積更小，它現(xiàn)在也與L2緩存 (前一代只重疊了L3緩存部分) 發(fā)生重疊，所以 AMD 不得不改變基本芯片和L3 SRAM芯片中的TSV連接設(shè)計(jì)。

隨著基礎(chǔ)芯片上5nm L3高速緩存部分晶體管密度增加，AMD不得不將Power TSV從 L3擴(kuò)展到L2區(qū)域。

對(duì)于基礎(chǔ)芯片，AMD在L3緩存、數(shù)據(jù)路徑和控制邏輯上實(shí)現(xiàn)了0.68倍的有效面積縮放（與舊的7nm芯片相比），因此L3緩存中TSV物理空間更小。

Signal TSV依然保留在基礎(chǔ)芯片上的L3緩存區(qū)域內(nèi)，但AMD通過(guò)應(yīng)用從第一代設(shè)計(jì)中學(xué)到的知識(shí)以及DTCO改進(jìn)，將L3緩存中的TSV區(qū)域縮小了50%，以減少新接口設(shè)計(jì)中的額外電路。

IT之家提醒，AMD的3D芯片堆疊技術(shù)基于 臺(tái)積電的SoIC技術(shù)，而臺(tái)積電的SoIC是無(wú)凸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，這意味著兩個(gè)芯片之間的連接不會(huì)使用微凸塊或焊料。AMD表示，它使用了相同的基本鍵合/粘合工藝，并進(jìn)行了持續(xù)的工藝和DTCO改進(jìn)，但最小TSV間距并未改變。

此外，L3 SRAM小芯片也與CPU內(nèi)核保持在同一功率區(qū)域，因此無(wú)法**調(diào)整。也正因?yàn)殡妷翰荒艹^(guò)~1.15V，所以配備緩存的小芯片的頻率也不會(huì)太高。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/it/2023-03-05/2921588.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

從報(bào)道來(lái)看，第一大客戶(hù)所貢獻(xiàn)的營(yíng)收雖然同比大增，但在臺(tái)積電去年晶圓代工收入中所占的比重有下滑，由上一年的26%降至23%。

對(duì)于臺(tái)積電的第一大客戶(hù)，雖然他們并未公布，但外界普遍預(yù)計(jì)是蘋(píng)果。蘋(píng)果近幾年所研發(fā)的A系列芯片及M系列芯片，均是交由臺(tái)積電采用最先進(jìn)的制程工藝獨(dú)家代工。

蘋(píng)果和臺(tái)積電在芯片代工方面合作多年，臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝在投產(chǎn)后初期的產(chǎn)能，也基本全部留給蘋(píng)果。上月底就曾有報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果公司在2020年的12月份，就已下單預(yù)計(jì)臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能，而臺(tái)積電的這一制程工藝，在去年12月29日才開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，蘋(píng)果下單時(shí)他們還沒(méi)有進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

由于蘋(píng)果iPhone、iPad及Mac等硬件產(chǎn)品銷(xiāo)量可觀，對(duì)芯片也有強(qiáng)勁的需求，加之他們采用的都是價(jià)格高昂的先進(jìn)制程工藝，因而他們的訂單，也就為臺(tái)積電帶來(lái)了可觀的營(yíng)收。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/world/2023-03-03/2921542.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

【TechWeb】3月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電第一大客戶(hù)去年所貢獻(xiàn)的營(yíng)收，達(dá)到了173億美元，同比增長(zhǎng)超過(guò)30%。

從報(bào)道來(lái)看，第一大客戶(hù)所貢獻(xiàn)的營(yíng)收雖然同比大增，但在臺(tái)積電去年晶圓代工收入中所占的比重有下滑，由上一年的26%降至23%。

對(duì)于臺(tái)積電的第一大客戶(hù)，雖然他們并未公布，但外界普遍預(yù)計(jì)是蘋(píng)果。蘋(píng)果近幾年所研發(fā)的A系列芯片及M系列芯片，均是交由臺(tái)積電采用最先進(jìn)的制程工藝獨(dú)家代工。

蘋(píng)果和臺(tái)積電在芯片代工方面合作多年，臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝在投產(chǎn)后初期的產(chǎn)能，也基本全部留給蘋(píng)果。上月底就曾有報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果公司在2020年的12月份，就已下單預(yù)計(jì)臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能，而臺(tái)積電的這一制程工藝，在去年12月29日才開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，蘋(píng)果下單時(shí)他們還沒(méi)有進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

由于蘋(píng)果iPhone、iPad及Mac等硬件產(chǎn)品銷(xiāo)量可觀，對(duì)芯片也有強(qiáng)勁的需求，加之他們采用的都是價(jià)格高昂的先進(jìn)制程工藝，因而他們的訂單，也就為臺(tái)積電帶來(lái)了可觀的營(yíng)收。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/world/2023-03-03/2921542.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

【TechWeb】3月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電第一大客戶(hù)去年所貢獻(xiàn)的營(yíng)收，達(dá)到了173億美元，同比增長(zhǎng)超過(guò)30%。

從報(bào)道來(lái)看，第一大客戶(hù)所貢獻(xiàn)的營(yíng)收雖然同比大增，但在臺(tái)積電去年晶圓代工收入中所占的比重有下滑，由上一年的26%降至23%。

對(duì)于臺(tái)積電的第一大客戶(hù)，雖然他們并未公布，但外界普遍預(yù)計(jì)是蘋(píng)果。蘋(píng)果近幾年所研發(fā)的A系列芯片及M系列芯片，均是交由臺(tái)積電采用最先進(jìn)的制程工藝獨(dú)家代工。

蘋(píng)果和臺(tái)積電在芯片代工方面合作多年，臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝在投產(chǎn)后初期的產(chǎn)能，也基本全部留給蘋(píng)果。上月底就曾有報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果公司在2020年的12月份，就已下單預(yù)計(jì)臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能，而臺(tái)積電的這一制程工藝，在去年12月29日才開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，蘋(píng)果下單時(shí)他們還沒(méi)有進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

由于蘋(píng)果iPhone、iPad及Mac等硬件產(chǎn)品銷(xiāo)量可觀，對(duì)芯片也有強(qiáng)勁的需求，加之他們采用的都是價(jià)格高昂的先進(jìn)制程工藝，因而他們的訂單，也就為臺(tái)積電帶來(lái)了可觀的營(yíng)收。

本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來(lái)源:http://www.techweb.com.cn/world/2023-03-03/2921542.shtml,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除

【TechWeb】3月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電第一大客戶(hù)去年所貢獻(xiàn)的營(yíng)收，達(dá)到了173億美元，同比增長(zhǎng)超過(guò)30%。

從報(bào)道來(lái)看，第一大客戶(hù)所貢獻(xiàn)的營(yíng)收雖然同比大增，但在臺(tái)積電去年晶圓代工收入中所占的比重有下滑，由上一年的26%降至23%。

對(duì)于臺(tái)積電的第一大客戶(hù)，雖然他們并未公布，但外界普遍預(yù)計(jì)是蘋(píng)果。蘋(píng)果近幾年所研發(fā)的A系列芯片及M系列芯片，均是交由臺(tái)積電采用最先進(jìn)的制程工藝獨(dú)家代工。

蘋(píng)果和臺(tái)積電在芯片代工方面合作多年，臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝在投產(chǎn)后初期的產(chǎn)能，也基本全部留給蘋(píng)果。上月底就曾有報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果公司在2020年的12月份，就已下單預(yù)計(jì)臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能，而臺(tái)積電的這一制程工藝，在去年12月29日才開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，蘋(píng)果下單時(shí)他們還沒(méi)有進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

由于蘋(píng)果iPhone、iPad及Mac等硬件產(chǎn)品銷(xiāo)量可觀，對(duì)芯片也有強(qiáng)勁的需求，加之他們采用的都是價(jià)格高昂的先進(jìn)制程工藝，因而他們的訂單，也就為臺(tái)積電帶來(lái)了可觀的營(yíng)收。

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