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內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)2015(內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)2022圖)

價(jià)格波動(dòng)

2015年,內(nèi)存價(jià)格經(jīng)歷了波動(dòng)。年初至6月,內(nèi)存價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定,但是在第二季度開始有所上漲。多方面因素影響了內(nèi)存價(jià)格,包括需求增長(zhǎng)、存儲(chǔ)器供應(yīng)壓力等。大量的儲(chǔ)存設(shè)備的進(jìn)一步普及使得內(nèi)存需求持續(xù)增加,這也是內(nèi)存價(jià)格高企的原因之一。

DRAM價(jià)格

DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)價(jià)格在2015年有所上漲。一方面,全球PC市場(chǎng)需求放緩,PC是DRAM的最大消費(fèi)市場(chǎng)之一,但內(nèi)存價(jià)格仍然高企。這主要是因?yàn)閿?shù)據(jù)中心的爆發(fā)式增長(zhǎng)導(dǎo)致了DRAM的供應(yīng)壓力。此外,其它企業(yè)和云服務(wù)提供商都在擴(kuò)大其客戶群,致使了數(shù)據(jù)傳輸速度的增加,這也導(dǎo)致了對(duì)DRAM的需求增長(zhǎng)。

閃存價(jià)格

2015年,閃存價(jià)格下降明顯。這主要是由供應(yīng)商的增多和生產(chǎn)收益率的提高所導(dǎo)致的。此外,移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用不斷擴(kuò)大,對(duì)于閃存的需求也增加,進(jìn)一步促進(jìn)了閃存價(jià)格的下降。一些閃存制造商還采用了新穎的技術(shù),例如3D NAND,使得在現(xiàn)有芯片空間內(nèi)存儲(chǔ)更多信息,也就讓價(jià)格更有競(jìng)爭(zhēng)力。

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