內(nèi)存高頻獨顯(內(nèi)存頻率對獨顯影響大嗎)

老鐵們好啊，今天小編給大家分享下我們在使用電腦過程中會遇到的一些問題故障該如何處理，熱門電腦游戲需求配置，電腦使用的一些小技巧

什么是DDR3內(nèi)存超頻？

DDR3內(nèi)存超頻是指在原有的頻率基礎(chǔ)上，通過修改主板BIOS中的設(shè)置，提高內(nèi)存頻率的現(xiàn)象。內(nèi)存頻率越高，能夠存取的數(shù)據(jù)也就越多，因此，DDR3內(nèi)存超頻可以帶來更快的系統(tǒng)響應(yīng)速度和更出色的性能表現(xiàn)。不過，在進行DDR3內(nèi)存超頻之前，需要保證電腦內(nèi)部部件充足，否則可能出現(xiàn)因功率不足造成的系統(tǒng)崩潰等問題。

DDR3內(nèi)存超頻步驟

DDR3內(nèi)存超頻，需要在BIOS中進行設(shè)置。具體步驟如下：

1. 進入BIOS設(shè)置界面。在電腦開機時按下F2鍵即可進入BIOS設(shè)置界面。

2. 找到內(nèi)存相關(guān)設(shè)置。在BIOS設(shè)置界面中尋找內(nèi)存相關(guān)設(shè)置，尋找名為“DRAM Configuration”的選項。

3. 修改內(nèi)存頻率。在“DRAM Configuration”選項中，找到“DRAM Frequency”選項，一般默認為Auto（自動），手動修改可提高內(nèi)存速度。當然，一旦超過內(nèi)存頻率推薦值，則會出現(xiàn)崩潰等問題。

4. 設(shè)置CPU倍頻和CPU電壓頻率。超頻之后還需要設(shè)置CPU倍頻和CPU電壓頻率。這個根據(jù)自己的CPU處理器型號設(shè)置，一般同時也要提高電壓，否則處理器不能夠正常運行。

5. 退出保存。修改完成后，記得保存并退出BIOS設(shè)置界面。

如何測試DDR3內(nèi)存超頻效果

完成DDR3內(nèi)存超頻之后，需要測試其效果。在平常使用電腦的過程中，可以使用常見的軟件進行測試。其中，最為常見的軟件就是“宿主”和“超頻助手”等內(nèi)存測試工具，并進行壓力測試，以確保超頻是否運行穩(wěn)定，或者更好的選擇使用著名的超頻神器軟件AIDA64來測試內(nèi)存。

除此之外，測試還可以采用專業(yè)的Windows工具CPU-Z，它不僅能夠查看CPU基本參數(shù)和內(nèi)存參數(shù)，而且還具有備份、比較等功能。不過，在使用測試工具之前，確保要關(guān)閉其他的運行程序，以避免因為其他程序?qū)е聹y試結(jié)果失真的情況。

DDR4內(nèi)存延遲介紹

DDR4內(nèi)存是一種高速內(nèi)存，相較于DDR3內(nèi)存，它具有更高的頻率和更低的電壓，因此具有更高的性能和更好的能效比。不過，DDR4內(nèi)存的延遲也是一種不可忽視的問題，它對系統(tǒng)的性能和響應(yīng)速度有著很大的影響。

DDR4內(nèi)存延遲的定義和計算

DDR4內(nèi)存延遲是指存儲器模塊從接收到讀寫請求到返回數(shù)據(jù)所需的時間。延遲時間由多種因素影響，如電信號傳輸?shù)乃俣群娃D(zhuǎn)換、緩存器和寄存器等內(nèi)部元件的工作速度等。DDR4內(nèi)存延遲通常包含三個主要部分：存儲器請求延遲、RAS到CAS延遲和列訪問延遲。

這三個延遲的計算方式分別是：

存儲器請求延遲（CL）：指從內(nèi)存控制器發(fā)出指令到獲取到第一個數(shù)據(jù)所需的時鐘周期數(shù)。它通常在DDR標識中以一個CL數(shù)字表示。

RAS到CAS延遲（tRCD）：指在行地址選中后，設(shè)置CAS時鐘之前的延遲時間。

列訪問延遲（tCL）：指內(nèi)存控制器從列地址讀取數(shù)據(jù)并將其移動到數(shù)據(jù)緩存中所需的時鐘周期數(shù)。

DDR4內(nèi)存延遲的對比和優(yōu)化

DDR4內(nèi)存延遲與頻率、容量和價格等因素密切相關(guān)。延遲越低，性能越好，售價也相應(yīng)越高。而且，增加容量也會增加延遲。因此，在選擇DDR4內(nèi)存時，有時需要在延遲和容量之間進行權(quán)衡。

為了優(yōu)化DDR4內(nèi)存延遲，可以采用以下策略：

• 選擇具有更低延遲的模塊。
• 在BIOS中進行調(diào)整，以盡可能快地處理內(nèi)存請求。
• 安裝最小化內(nèi)存延遲的驅(qū)動程序。
• 優(yōu)化計算機的軟件和設(shè)置，以減少內(nèi)存請求和響應(yīng)之間的等待時間。

通過這些方法，可以最大程度地提高DDR4內(nèi)存的性能和響應(yīng)速度。

DDR內(nèi)存布線規(guī)則

DDR內(nèi)存作為一種高速存儲器件，其布線規(guī)則十分重要。DDR內(nèi)存的布線規(guī)則建立在信號完整性、延遲控制和電磁干擾控制等基礎(chǔ)之上，下面詳細了解一下DDR內(nèi)存的布線規(guī)則。

信號完整性控制

DDR內(nèi)存在數(shù)據(jù)傳輸過程中需要考慮的主要問題是信號完整性。信號完整性不好會導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯誤，嚴重時會導(dǎo)致內(nèi)存系統(tǒng)的崩潰。因此，DDR內(nèi)存的布線規(guī)則需要在信號完整性方面嚴格控制。為了達到這一目的，我們需要在設(shè)計過程中考慮以下因素:

• 信號完整性：在DDR內(nèi)存布線中，信號完整性的控制是關(guān)鍵。這需要嚴格控制信號路徑的阻抗匹配、信號損失和信號反射，同時我們還需要避免出現(xiàn)時滯問題，保證信號的同步傳輸。
• 布局規(guī)劃：DDR內(nèi)存的布局應(yīng)該盡可能緊湊、規(guī)則，以減少布線的長度和負載，同時也能減少信號傳播延遲和耦合噪聲。
• 電源和地：第一，在DDR內(nèi)存布線中直接將電源和地與內(nèi)存芯片相連，以保證內(nèi)存的穩(wěn)定供電；第二，以盡可能低的阻抗連接電路地和電源。

延遲控制

DDR內(nèi)存系統(tǒng)需要從其讀出信息的時間開始計時，所以必須在信號完整性控制的基礎(chǔ)上，盡可能控制延遲。

• 傳輸線延遲：傳輸線延遲是影響DDR內(nèi)存讀寫性能的關(guān)鍵因素之一，其產(chǎn)生的原因是阻抗失配、雜散電容和電感、信號反射和損失。為避免傳輸線延遲帶來的性能下降，我們需要在DDR內(nèi)存布線中優(yōu)化布局和減少延遲。
• 時鐘延遲：DDR內(nèi)存中的時鐘信號是定時和同步傳輸?shù)年P(guān)鍵信號，時鐘信號的延遲會導(dǎo)致時序問題。為了減少時鐘延遲，我們需要優(yōu)化時鐘信號的布線。
• 同步延遲：DDR內(nèi)存的同步延遲是指信號沿著傳輸線所需的時間，正好等于芯片底片的時鐘周期，因此同步延遲可以通過改變布線方向和長度來優(yōu)化。

電磁干擾控制

在DDR內(nèi)存布線中，電磁干擾會對信號的完整性造成影響，所以需要在布線設(shè)計過程中掌控好這個問題。

• 地回路：通過使用良好的地回路和了解差分信號和單端信號之間的電磁耦合來降低電磁干擾。地回路能夠提供與信號相對地的低阻抗路徑，而去耦電容和對數(shù)元件能夠提供高阻抗。
• 差分-對單端信號的換位：將差分對（例如延遲對）換位并將它們劃分為對稱的單端信號，可以幫助我們更好地控制電磁干擾的風(fēng)險。
• 芯片洞控制：芯片的洞是存儲器公共雜散電容的區(qū)域，可能會對內(nèi)存系統(tǒng)的信號完整性和電磁干擾產(chǎn)生影響。為了減輕洞帶來的干擾，可以在布局設(shè)計過程中增加安全距離，并采用屏蔽和填充技術(shù)。

小編綜合認為

DDR內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中必不可少的存儲器，其布線規(guī)則對于內(nèi)存的運行穩(wěn)定和性能提升都有著至關(guān)重要的作用。在DDR內(nèi)存的布線設(shè)計中，需要掌握信號完整性、延遲控制和電磁干擾控制等方面的規(guī)則，以保證DDR內(nèi)存的正常運行和更好的性能。

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介紹i5 4460的基本信息

i5 4460是英特爾在2014年推出的一款CPU處理器，采用的是Haswell架構(gòu)，擁有4顆核心和4線程，主頻為3.20GHz，睿頻加速最高可達3.40GHz，擁有6MB**緩存，TDP為84W，支持DDR3內(nèi)存和Intel HD Graphics 4600顯卡，可以滿足游戲、辦公和娛樂等基本需求。

探討i5 4460的內(nèi)存需求

由于i5 4460支持的是DDR3內(nèi)存，其內(nèi)存帶寬受限，僅為128-bit，所以內(nèi)存的頻率并不會對性能產(chǎn)生太大影響。但是因為CPU只支持最高1600MHz的內(nèi)存頻率，并且只支持最多2根內(nèi)存插槽，所以我們需要選擇兩根頻率為1600MHz的內(nèi)存條來安裝。另外，4GB內(nèi)存已經(jīng)無法滿足現(xiàn)代系統(tǒng)的要求，因為運行多個應(yīng)用程序時，4GB內(nèi)存會很快耗盡。所以我們需要至少選擇8GB的內(nèi)存去搭配i5 4460，以滿足日常使用所需。

推薦i5 4460搭配的內(nèi)存品牌和型號

在選擇內(nèi)存時，我們需要關(guān)注內(nèi)存的品牌、容量、頻率和時序，這些都會影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。對于i5 4460來說，我們推薦以下幾款內(nèi)存：

• Kingston Fury DDR3 1600 8GB（HX316C10F/8）：這款內(nèi)存是Kingston的中高端產(chǎn)品，采用了DRAM芯片，具有更好的穩(wěn)定性和耐久性，支持自動超頻技術(shù)，可以自動提高頻率以達到更高的性能。
• Corsair Vengeance DDR3 1600 8GB（CMZ8GX3M1A1600C10）：這款內(nèi)存是Corsair的知名產(chǎn)品系列之一，采用了高性能的DRAM芯片，具有更快的速度和更高的容量，支持XMP超頻技術(shù)，可以手動提高頻率以達到更高的性能。
• ADATA XPG DDR3 1600 8GB（AX3U1600W8G9-DB）：這款內(nèi)存是ADATA的高端產(chǎn)品之一，采用了精選的DRAM芯片和鋁制散熱片，具有更好的散熱性能和穩(wěn)定性，支持自動超頻技術(shù)和XMP超頻技術(shù)，可以自動或手動提高頻率以達到更高的性能。

這些內(nèi)存品牌和型號都經(jīng)過市場驗證，擁有優(yōu)秀的性能、質(zhì)量和價格比，可以提供最佳的內(nèi)存搭配方案，以提高i5 4460的性能和穩(wěn)定性。

什么是內(nèi)存天梯

內(nèi)存天梯是一種類比形象的描述，是對內(nèi)存頻率和時序參數(shù)的逐層遞進的組合方式，這種組合方式帶來了更為精細的內(nèi)存調(diào)校。內(nèi)存天梯的原理是通過逐層遞進的內(nèi)存頻率與時序的調(diào)整方法，在實現(xiàn)對內(nèi)存性能的提升的同時，也達到了對性價比的平衡。許多廠商都推出了內(nèi)存天梯參數(shù)的產(chǎn)品，內(nèi)存天梯的主要作用是在適當?shù)姆秶鷥?nèi)調(diào)整內(nèi)存時間參數(shù)，從而讓內(nèi)存在最佳狀態(tài)下發(fā)揮效果。

內(nèi)存天梯的層次和調(diào)校方法

內(nèi)存天梯的層級可以分為Level 1、Level 2、Level 3等不同級別，Level 1代表的是最基礎(chǔ)的內(nèi)存設(shè)置，是最常見的內(nèi)存工作狀態(tài)；而Level 3則代表的是內(nèi)存超頻達到的最高層次。在升級內(nèi)存時，可以通過內(nèi)存天梯的調(diào)整方法所屬的具體級別，來完成對內(nèi)存的精確調(diào)校。這包括了對內(nèi)存主頻、時序參數(shù)（CAS Latency、RAS to CAS Delay、RAS Precharge time等）的調(diào)整，不同的內(nèi)存天梯參數(shù)能夠讓用戶在不同的設(shè)備環(huán)境下，獲得更好的性能提升，實現(xiàn)全面的優(yōu)化。

內(nèi)存天梯的實際應(yīng)用

內(nèi)存天梯的實際應(yīng)用通常很實用，可以通過Windows、BIOS和第三方軟件進行設(shè)置。在Windows下，用戶可以使用CPU-Z這樣的工具來查看內(nèi)存的頻率和時序信息，從而更好的理解內(nèi)存天梯的調(diào)整原理；在BIOS中，用戶可以通過內(nèi)存時間圖表，調(diào)整每個內(nèi)存時間參數(shù)，以適應(yīng)不同的內(nèi)存時序參數(shù)的變化。還有一點，在AMD和Intel的主板上，通常還會附帶自帶的內(nèi)存天梯設(shè)置，用戶可以使用這些設(shè)置來實現(xiàn)更為精細的內(nèi)存調(diào)校。

小編綜合來說，內(nèi)存天梯的應(yīng)用比較普遍，用戶可以使用第三方軟件或者BIOS自帶的功能，來完成對內(nèi)存時序參數(shù)的調(diào)整。同時，在選擇內(nèi)存產(chǎn)品時，用戶可以選擇支持內(nèi)存天梯的內(nèi)存，在達到4K或8K分辨率下提升游戲性能的同時，也確保更高的穩(wěn)定性和性價比。

索尼筆記本電腦黑屏如何解決？

需要工具：索尼筆記本電腦一臺、螺絲刀一套

第一步，第一將筆記本關(guān)機，第二從電腦背面拆下電池。這樣可以防止一會在拆卸時候筆記本電腦帶電，導(dǎo)致某處短路，損壞主板和硬件。

第二步，第二將筆記本放倒，**朝上，開始擰螺絲，全部擰下來，有的電腦螺絲會隱藏在防滑墊下，需要把防滑墊拆下才可以看到。

第三步，螺絲擰下來后，使勁的往外推后蓋，推開。如果用手推不開比較滑，可以將透明膠帶粘在上面，第二用力拉透明膠帶就可以了。

第四步，這樣它的內(nèi)在被一眼看光了，內(nèi)存條、CPU風(fēng)扇、硬盤和主板等。

第五步，出現(xiàn)這種情況第一判斷內(nèi)存條，因為電腦電源燈亮、風(fēng)扇也轉(zhuǎn)說明電源和硬盤都沒有問題，那么剩下的硬件里面最容易出現(xiàn)問題的就是內(nèi)存條了。

第六步，如果有兩根內(nèi)存，那就要多試試幾次了，插拔和換口，一條一條測試。

第七步，第三我們成功的進來了，當然也會有其他原因，大家多多排查 。

索尼筆記本電腦開機黑屏怎么解決

1. 筆記本電源電量不足。這種情況是由于過量使用筆記本或長時間待機電池用電過量形成的，只要在使用前多充會電就會解決這個問題。

2. 開機時沒有任何反映。這類情況一般最多的是硬件松動或筆記本進水形成的。如果是硬件松動，只要打開筆記本后對松動硬件重新進行插入即可；但是由于硬件損壞造成的，要用專業(yè)儀器進行檢測后對損壞硬件更換。

3. 開機時提示無法識別串口、并口、硬盤等。這類情況一般由硬件松動或者COMS數(shù)據(jù)同錯造成，只能通過重新插入松動硬件和恢復(fù)COMS數(shù)據(jù)來排除故障。

4. 電腦報警無法進入系……

好了，以上就是在使用電腦過程中會遇到的一些問題故障該如何處理，熱門電腦游戲配置需求，電腦使用的一些小技巧等內(nèi)容，希望大家看了更好的使用電腦