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聯(lián)想筆記本不充電與不開機(jī),經(jīng)典電路分析
今天給大家分享一個(gè)聯(lián)想筆記本(MEDION)不充電案例分析,不良現(xiàn)象客戶反饋使用電源能開機(jī),但是電池不開機(jī),機(jī)臺(tái)寄回分析
一.電路分析:
1.使用電源供應(yīng)器觀察待機(jī)電流為1.14A,正常來講應(yīng)該在20mA以下,由此可以判斷是主板引起的故障。
2.拆開主板觀察沒有發(fā)現(xiàn)有燒毀或者是零件腐蝕等不良,量測(cè)主板公共點(diǎn)電感對(duì)地二極值沒有發(fā)現(xiàn)任何問題。
3.根據(jù)不良現(xiàn)象跟充電電路有關(guān),觀察充電管理芯片是BQ24725A,在網(wǎng)下找到對(duì)應(yīng)的Datasheet,如下圖所示:
4.單獨(dú)使用外接電源,量測(cè)公共點(diǎn)1-4點(diǎn)電壓均為正常,確認(rèn)第4點(diǎn)電壓為19V,由此可以判斷外接適配器電路正常.
5.插入Battery(電池),量測(cè)公共點(diǎn)1-4點(diǎn)電壓均沒有電壓。
6.根據(jù)量測(cè)懷疑跟MOS管與充電芯片有關(guān),所以先量測(cè)Q3&Q4 MOS有沒有被擊穿,量測(cè)Q3&Q4時(shí)D-S之間二極值為0,代表完全對(duì)地short,通過量測(cè)2顆MOS都被擊穿導(dǎo)致,如下圖所示:
二,分析總結(jié):
根據(jù)不良現(xiàn)象插入電源與電池后待機(jī)電流過大,主要原因是Q3&Q4擊穿導(dǎo)致,當(dāng)Q4擊穿后電池電壓直接拉到地,所以SYSTEM電壓就不能產(chǎn)生,如果遇到MOS管擊穿現(xiàn)象不管是一顆損壞必須把2顆同時(shí)更換掉,因?yàn)閾p壞一顆后另外一顆也受到傷害,如果不更換掉使用一段時(shí)間又會(huì)燒掉.
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筆記本電腦運(yùn)行游戲藍(lán)屏**機(jī)解決
現(xiàn)有一臺(tái)筆記本聯(lián)想G400,升級(jí)過內(nèi)存,加裝過固態(tài)硬盤,現(xiàn)在故障是運(yùn)行英雄聯(lián)盟后5-10分鐘藍(lán)屏**機(jī),重裝過系統(tǒng)升級(jí)甚至降級(jí)過驅(qū)動(dòng)。
仔細(xì)想了一下,已經(jīng)使用了4年的筆記本硅脂可能老化喪失導(dǎo)熱能力了。于是就買了這個(gè)一個(gè)硅脂套裝。
然后我查找資料看拆機(jī)的文章找到圖解。
然后反向組裝好,最后一試玩LOL好了,舊筆記本還能再戰(zhàn)2年。
OK,本文到此結(jié)束,希望對(duì)大家有所幫助。
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