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2014年主流內(nèi)存(手機(jī)主流內(nèi)存)

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概述

2014年，主流內(nèi)存主要分為兩種：DDR3和DDR4。DDR3內(nèi)存在市場(chǎng)上的應(yīng)用較多，而DDR4剛剛推出，應(yīng)用較為有限。下面將對(duì)這兩種內(nèi)存的特點(diǎn)做具體的介紹。

DDR3內(nèi)存

DDR3內(nèi)存是由DDR2內(nèi)存演進(jìn)而來的。與DDR2相比，DDR3在內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上有了很大的改進(jìn)，包括增加了預(yù)取數(shù)據(jù)（Prefetch Data）的數(shù)量、增加了數(shù)據(jù)通道的速率以及更高的時(shí)鐘頻率。因此，DDR3內(nèi)存的帶寬比DDR2內(nèi)存高出很多。不僅如此，DDR3內(nèi)存還擁有很高的頻率，在市場(chǎng)上標(biāo)稱的最高頻率為2133MHz。除了帶寬和頻率方面的提升外，DDR3內(nèi)存還具有更低的電壓和更低的功耗。這種特點(diǎn)讓DDR3內(nèi)存得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是在臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域。

DDR4內(nèi)存

DDR4內(nèi)存于2012年被聯(lián)合電子、英特爾、三星和微軟等公司共同推出。與DDR3相比，DDR4內(nèi)存同樣有了很大的改進(jìn)，包括更高的頻率、更低的電壓和更高的帶寬。DDR4內(nèi)存的電壓最低可達(dá)1.2V，比DDR3內(nèi)存低了一點(diǎn)；同時(shí)，DDR4內(nèi)存比DDR3內(nèi)存的帶寬提高了兩倍以上，可以達(dá)到3200MHz。這樣的改進(jìn)使DDR4內(nèi)存成為了未來的主流內(nèi)存，尤其在服務(wù)器和工作站領(lǐng)域，DDR4內(nèi)存得到了廣泛的應(yīng)用和認(rèn)可。

結(jié)論

在2014年，主流內(nèi)存主要分為DDR3和DDR4。DDR3內(nèi)存作為當(dāng)前的主流內(nèi)存，已經(jīng)有了很高的帶寬和頻率，廣泛地應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域。而DDR4內(nèi)存則是未來的主流內(nèi)存，擁有更高的頻率和帶寬，更低的電壓和更低的功耗，更加適合于高性能計(jì)算、服務(wù)器和工作站等領(lǐng)域的應(yīng)用。

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